דיסק פנימי Samsung 990 EVO PLUS 1TB up to 7250 Read 6300 Write

כונן NVMe של Samsung לשדרוג מחשב נייד או נייח, עם מהירות קרובה לכונני Gen4 העליונים וצריכת חשמל נמוכה. מתאים לגיימינג ולעבודה יומיומית.

עיקרי המוצר

• נפח: 1TB

• אחסון: ממשק: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe 2.0

• מהירות: עד 7,150/6,300MB/s

• פורם: M.2 2280

• סך כתיבה (TBW): 600TB

• אחריות: יצרן: 5 שנים

עד 7,150MB/s בקריאה

בדגם 1TB: קריאה רציפה עד 7,150MB/s וכתיבה עד 6,300MB/s. עובד בחריץ PCIe 4.0 x4 או PCIe 5.0 x2, עם Intelligent TurboWrite 2.0 לכתיבה מהירה של קבצים גדולים.

בקר מצופה ניקל

הבקר המצופה ניקל משפר את ה-MB/s לוואט ב-73% לעומת 990 EVO לפי Samsung, עם בקרת חום טובה. פחות חימום ויותר זמן סוללה במחשב נייד.

Samsung Magician

עדכוני קושחה, מעקב אחר מצב הכונן והעברת נתונים מכונן ישן דרך Samsung Magician. הצפנת AES 256-bit מובנית.

מפרט טכני

מפרט טכני מלא (יצרן)

• יצרן: Samsung

• סדרה: 990 EVO Plus

• דגם: Samsung 990 EVO Plus 1TB

• מק"ט יצרן: MZ-V9S1T0BW

• נפח: 1TB

• פורם פקטור: M.2 2280

• ממשק: PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2, NVMe 2.0

• קריאה רציפה: עד 7,150MB/s

• כתיבה רציפה: עד 6,300MB/s

• קריאה אקראית (4KB QD32): עד 850,000 IOPS

• כתיבה אקראית (4KB QD32): עד 1,350,000 IOPS

• סוג זיכרון: Samsung V-NAND TLC

• בקר: בקר Samsung (מצופה ניקל)

• זיכרון מטמון: HMB (Host Memory Buffer), ללא DRAM

• TurboWrite: Intelligent TurboWrite 2.0

• TBW (סך כתיבה): 600TB

• MTBF: 1.5 מיליון שעות

• צריכת חשמל ממוצעת: קריאה 4.3W / כתיבה 4.2W

• צריכה בסרק: 60mW

• צריכה במצב שינה (DEVSLP): 5mW

• מתח: 3.3V ±5%

• טמפרטורת עבודה: 0°C עד 70°C

• עמידות בזעזועים: 1,500G, 0.5ms

• הצפנה: AES 256-bit (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667

• תכונות: TRIM, S.M.A.R.T, Auto Garbage Collection, Device Sleep

• מידות: 80.15 x 22.15 x 2.38 מ"מ

• משקל: עד 9 גרם

• תוכנת ניהול: Samsung Magician